Конкурс на лучшие научные проекты междисциплинарных фундаментальных исследований по теме «Фундаментальные проблемы многоуровневых систем металлизации ультрабольших интегральных схем»
12.09.2018
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ) объявляет о проведении конкурса на лучшие научные проекты междисциплинарных фундаментальных исследований по теме «Фундаментальные проблемы многоуровневых систем металлизации ультрабольших интегральных схем» (код темы 26-827).
В конкурсе могут участвовать коллективы численностью не менее 3 человек и не более 10 человек, состоящие из граждан Российской Федерации, а также иностранных граждан и лиц без гражданства, имеющих статус налогового резидента Российской Федерации, прошедшие идентификацию.
Форма проведения конкурса: путем подачи заявок в электронном виде в КИАС РФФИ.
Дата и время начала подачи заявок: 10.09.2018 15:00 (МСК)
Порядок информирования об итогах конкурса: уведомление участников конкурса о решении конкурсной комиссии в электронном виде в КИАС РФФИ и опубликование списка победителей конкурса на сайте РФФИ 28 декабря 2018 года.
Победителям конкурса предоставляется право заключить Договор о предоставлении гранта победителю конкурса и реализации научного проекта.
Полная информация о конкурсе на сайте РФФИ: http://www.rfbr.ru/rffi/ru/contest/o_2076670
Резидентам ОмГТУ по вопросам участия, регистрации и оформления заявки, просьба обращаться в ДЦ "Фабрика бизнеса" (гл. корпус ОмГТУ, второй этаж, ауд. Г-209). Контактные данные: e-mail: omgtu_mu@mail.ru, тел.: 8 (3812) 21-78-91
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ) объявляет о проведении конкурса на лучшие научные проекты междисциплинарных фундаментальных исследований по теме «Фундаментальные проблемы многоуровневых систем металлизации ультрабольших интегральных схем» (код темы 26-827).
Рубрикатор темы:
827.1. Фундаментальные проблемы повышения степени интеграции и быстродействия УБИС.
827.2.Новые методы формирования low-k диэлектриков для использования в технологиях многоуровневой металлизации интегральных схем.
827.3. Методы контроля пористой структуры, электрических и механических свойств пористых low-k диэлектриков.
827.4. Новые металлы с низким удельным сопротивлением, высокой стойкостью к электромиграции и высокоэффективные барьерные слои для новых поколений систем металлизации интегральных схем.
827.5.Новые технологические схемы изготовления многоуровневых систем металлизации с минимальными временами задержки для суб- 7 нм технологий микроэлектроники.
827.6. Новые методы плазмохимического травления в технологии формирования многоуровневых систем металлизации интегральных схем. Процессы селективной поверхностной модификации пористых low-k пленок для процессов атомно-слоевого осаждения.
827.7. Оптика на кристалле для межсоединений верхнего уровня УБИС.
827.1. Фундаментальные проблемы повышения степени интеграции и быстродействия УБИС.
827.2.Новые методы формирования low-k диэлектриков для использования в технологиях многоуровневой металлизации интегральных схем.
827.3. Методы контроля пористой структуры, электрических и механических свойств пористых low-k диэлектриков.
827.4. Новые металлы с низким удельным сопротивлением, высокой стойкостью к электромиграции и высокоэффективные барьерные слои для новых поколений систем металлизации интегральных схем.
827.5.Новые технологические схемы изготовления многоуровневых систем металлизации с минимальными временами задержки для суб- 7 нм технологий микроэлектроники.
827.6. Новые методы плазмохимического травления в технологии формирования многоуровневых систем металлизации интегральных схем. Процессы селективной поверхностной модификации пористых low-k пленок для процессов атомно-слоевого осаждения.
827.7. Оптика на кристалле для межсоединений верхнего уровня УБИС.
В конкурсе могут участвовать коллективы численностью не менее 3 человек и не более 10 человек, состоящие из граждан Российской Федерации, а также иностранных граждан и лиц без гражданства, имеющих статус налогового резидента Российской Федерации, прошедшие идентификацию.
Форма проведения конкурса: путем подачи заявок в электронном виде в КИАС РФФИ.
Дата и время начала подачи заявок: 10.09.2018 15:00 (МСК)
Дата и время окончания подачи заявок: 10.10.2018 23:59 (МСК)
Порядок информирования об итогах конкурса: уведомление участников конкурса о решении конкурсной комиссии в электронном виде в КИАС РФФИ и опубликование списка победителей конкурса на сайте РФФИ 28 декабря 2018 года.
Победителям конкурса предоставляется право заключить Договор о предоставлении гранта победителю конкурса и реализации научного проекта.
Срок реализации проекта: 3 года.
Максимальный размер гранта: 6 миллионов рублей в год.
Минимальный размер гранта: 3 миллиона рублей в год.
Максимальный размер гранта: 6 миллионов рублей в год.
Минимальный размер гранта: 3 миллиона рублей в год.
Полная информация о конкурсе на сайте РФФИ: http://www.rfbr.ru/rffi/ru/contest/o_2076670
Резидентам ОмГТУ по вопросам участия, регистрации и оформления заявки, просьба обращаться в ДЦ "Фабрика бизнеса" (гл. корпус ОмГТУ, второй этаж, ауд. Г-209). Контактные данные: e-mail: omgtu_mu@mail.ru, тел.: 8 (3812) 21-78-91
Автор: Татьяна Черкасова
Опубликовано: ЦТКиВТ ОмГТУ
Опубликовано: ЦТКиВТ ОмГТУ