Руководитель проекта: Завьялов Сергей Анатольевич, кандидат технических наук, старший научный сотрудник кафедры "Радиотехнические устройства и системы диагностики" радиотехнического факультета
Тема: "Исследование возможностей построения и разработка современной отечественной сверхвысокочастотной элементной базы на основе гетероструктурных биполярных транзисторов в части создания супергетеродинных приемных трактов дециметрового и сантиметрового диапазонов длин волн типа сверхбыстродействующая система на кристалле для создания принципиально новых типов аппаратуры, предназначенных для использования в существующих и разрабатываемых летательных аппаратах".
Приоритетное направление: «Информационно-телекоммуникационные системы (ИТ)»
Критическая технология: Технологии наноустройств и микросистемной техники.
Период выполнения: 26.09.2017г.-31.12.2019г.
Плановое финансирование проекта: 60 млн. руб.
Исполнитель: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Омский государственный технический университет».
Индустриальный партнер: Акционерное общество "Центральное конструкторское бюро автоматики".
Цель: Исследование возможностей построения и разработка современной отечественной сверх высокочастотной элементной базы на основе гетероструктурных биполярных транзисторов в части создания супергетеродинных приемных трактов дециметрового и сантиметрового диапазонов длин волн типа сверхбыстродействующая система на кристалле для создания принципиально новых типов аппаратуры, предназначенных для использования в существующих и разрабатываемых летательных аппаратах.
Задачи:
•Проведение патентных исследований по ГОСТ 15.011-96 и анализа научно-технических источников описывающих существующие сверхбыстродействующие системы на кристалле, использующие гетероструктурные электронные приборы на основе кремний-германиевых технологий.
•Разработка требований к структуре сверхбыстродействующей системы на кристалле –сверхширокополосному супергетеродинному приемнику сигналов дециметрового и сантиметрового диапазонов длин волн, сложно-функциональных блоков трансимпедансных усилителей, фильтров, умножителей, смесителей, малошумящих усилителей, источникам опорных токов и напряжений.
•Оптимизация режимов работы схем на гетероструктурных биполярных транзисторах.
•Проведение оценочного расчета параметров отдельных блоков, входящих в состав сверхбыстродействующей системы на кристалле.
•Разработка схемотехнических и топологических описаний блоков сверхбыстродействующей системы на кристалле, основанных на гетероструктурных биполярных транзисторах и КМОП транзисторах.
•Проведение компьютерного моделирования и верификации разработанных блоков сверхбыстродействующей системы на кристалле.
•Изготовление экспериментальных образцов сверхбыстродействующей системы на кристалле на ведущих мировых фабриках (TSMC, iHP) с использованием сервисов по прототипированию, предоставляемых через международную вузовскую организацию Europractice, полноправным членом которой является Омский государственный технический университет.
•Разработка методики исследования экспериментальных образцов.
•Проведение исследовательских испытаний экспериментальных образцов.
•Разработка спецификаций СФ-блоков, входящих в состав сверхбыстродействующей системы на кристалле.
Аннотация проекта: ПНИ направлены на разработку принципиально новой отечественной элементной базы для сверхширокополосных телекоммуникационных систем в части создания перспективных супергетеродинных приемников дециметрового и сантиметрового диапазонов длин волн на основе кремний-германиевых гетероструктурных биполярных транзисторов с граничными частотами более 100 ГГц, что позволит в дальнейшем разработать широкий спектр современной бортовой аппаратуры для существующих и перспективных летательных аппаратов на основе собственной ЭКБ. Поскольку использование в такого рода аппаратуре зарубежной ЭКБ не возможно ввиду полного отсутствия на рынке аналогов, то разработка отечественной продукции такого класса является стратегически важной задачей.
Особенность ПНИЭР заключается в разработке сверхбыстродействующей системы на кристалле состоящей из сверхширокополосного супергетеродинного приемника дециметрового и сантиметрового диапазонов длин волн, содержащего малошумящие усилители, преобразователи частоты, трансимпедансные усилители, фильтры нижних частот в технологическом базисе кремний-германий БиКМОП 130...250 нм с гетероструктурными биполярными транзисторами с граничной частотой более 100 ГГц, со встроенными источниками опорных частот и температурно-компенсированных напряжений и токов, исследовании путей снижения потребляемой мощности, уменьшения неравномерности коэффициента передачи в диапазоне рабочих частот, оптимизации схемотехнических решений по критерию минимизации коэффициента шума. Разработка методик исследований экспериментальных образцов. Исследование характеристик разработанных экспериментальных образцов.
Актуальность исследования также подтверждается совещанием о перспективах развития гражданской микроэлектроники, проведенным В.В. Путиным 20 марта 2018г. http://www.kremlin.ru/events/president/news/57098.